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Com o desenvolvimento de novos dispositivos, a busca por novos materiais mais eficientes do ponto de vista energético e de componentes de tamanho reduzido mostra-se importante, portanto o estudo acerca de nanofios é essencial. Apesar do Si ser bastante empregado em componentes eletrônicos, este não possui uma boa eficiência óptica, então é optado pelo uso da liga de GaAs que se mostra interessante. Dessa maneira, neste estudo o objetivo é investigar as propriedades ópticas e estruturais de nanofios semicondutores de GaAs tipo-p, dopados com Be, em função da concentração de dopantes. Foi observado, a partir da imagem obtida da microscopia de alta-resolução, que a incorporação de Be foi benéfica, já que este suprime a formação de segmentos de WZ durante a cristalização da gotícula de Ga, além de diminuir a formação de twin planes. Com relação às propriedades ópticas obteve-se que a energia de emissão é menor para ambos os nanofios dopados, quando comparados ao não dopado. Além disso, na análise da PL a influência datemperatura é a mesma para as amostras em que o gap diminui, enquantopara diferentes potências, o NW com menor concentração de Be (Be1) apresenta mudanças na intensidade dos picos, e o NW com maior concentração de Be (Be2) não apresenta. Ainda para Be1 a incorporação do dopante é predominantemente via crescimento VS, enquanto para Be2 a contribuição do mecanismo VLS torna-se significativo. Tendo em vista as informações obtidas, os nanofios dopados mostra-se eficiente para aplicações optoeletrônicas, como por exemplo em células solares.